初步数据表
N沟道的GaAs MES FET
NE650R479A
0.4 W L ， S波段功率GaAs MES FET
描述
该NE650R479A是0.4 W的GaAs MES FET设计中功率发射机应用的移动
通信手机和基站系统。它能够提供0.4瓦特输出功率（ CW）具有较高的
线性增益，高效率，优异的失真，并适合作为驱动放大器，用于我们的NE6500379A等
可靠性和性能的均匀性是由NEC严格的质量控制程序保证。
特点
高输出功率
高线性增益
: P
O（1 dB为单位）
= +26 dBm的典型值。
：14 dB典型值。
高功率附加效率： 45 ％ （典型值） 。 @V
DS
= 6 V，I
DSET
= 100 mA时， F = 1.9 GHz的
订购信息（ PLAN）
产品型号
NE650R479A-T1
79A
包
供给方式
12毫米胶带宽度， 1千件/卷
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
（样品订购部件号： NE650R479A ）
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
操作中过量的这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损坏。
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
门正向电流
门反向电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
GF
I
GR
P
T
T
ch
T
英镑
评级
15
–7
0.6
12
12
2.5
150
-65到+150
单位
V
V
A
mA
mA
W
°C
°C
小心
请处理这种设备在无静电工作站，因为这是一种静电敏感
装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件P13671EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1998年8月 CP （ K）
日本印刷
1998
