数据表
N沟道的GaAs MESFET
NEZ1011-8E ， NEZ1414-8E
8W X， Ku波段功率GaAs MESFET
描述
该NEZ1011-8E和NEZ1414-8E的功率GaAs MESFET的可提供高增益，高效率，高
输出X， Ku波段。内部输入和输出匹配使得能够保证的性能将与实现
仅50
外部电路。以降低热阻抗的装置具有PHS（镀散热器）的结构。该
器件集成了高可靠性的WSi （硅化钨）的栅极结构。
特点
高输出功率：P
O（1 dB为单位）
= 39.5 dBm的典型值。
高线性增益
高效率
6.5 dB典型值。
： 25 ％ （典型值） 。
输入和输出内部匹配以获得最佳性能
订购信息
产品型号
NEZ1011-8E
NEZ1414-8E
T-61
包
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
（样品订购部件号： NEZ1011-8E ， NEZ1414-8E ）
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
操作中过量的这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损坏。
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
门正向电流
门反向电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GF
I
GR
P
T
T
ch
T
英镑
评级
15
–7
10
+80
–80
60
175
-65到+175
单位
V
V
A
mA
mA
W
°C
°C
请小心处理这种装置在无静电工作站，因为这是对静电敏感的
装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件P13730EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1998年9月 CP （ K）
日本印刷
1998
