位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1971页 > M470T6554CZ3-CLD5 > M470T6554CZ3-CLD5 PDF资料 > M470T6554CZ3-CLD5 PDF资料1第2页
256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲的SODIMM
无缓冲DDR2 SODIMM订购信息
产品型号
M470T3354CZ3-C(L)E7/E6/D5/CC
M470T3354CZ0-C(L)E7/E6/D5/CC
M470T6554CZ3-C(L)E7/E6/D5/CC
M470T6554CZ0-C(L)E7/E6/D5/CC
M470T2953CZ3-C(L)E7/E6/D5/CC
M470T2953CZ0-C(L)E7/E6/D5/CC
密度
256MB
256MB
512MB
512MB
1GB
1GB
组织
32Mx64
32Mx64
64Mx64
64Mx64
128Mx64
128Mx64
部件组成
32Mx16(K4T51163QC)*4
32Mx16(K4T51163QC)*4
32Mx16(K4T51163QC)*8
32Mx16(K4T51163QC)*8
64Mx8(K4T51083QC)*16
64Mx8(K4T51083QC)*16
DDR2 SDRAM
等级数
1
1
2
2
2
2
高度
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
30mm
注：部件号（第11位）的“Z ”代表无铅产品。
注： “3”部分的数量（第12位）代表虚设焊盘PCB产品。
特点
性能范围
E7 （ DDR2-800 ）
Speed@CL3
Speed@CL4
Speed@CL5
CL- tRCD的-TRP
400
533
800
5-5-5
E6 （ DDR2-667 ）
400
533
667
5-5-5
D5 （ DDR2-533 ）
400
533
533
4-4-4
CC （ DDR2-400 ）
400
400
-
3-3-3
单位
Mbps的
Mbps的
Mbps的
CK
JEDEC标准的1.8V ± 0.1V电源
V
DDQ
= 1.8V ± 0.1V
200 MHz的F
CK
为400MB /秒/针， 267MHz F
CK
为533MB /秒/针， 333MHz的F
CK
为667Mb /秒/针， 400MHz的F
CK
为800MB /秒/针
4银行
中科院发布
可编程CAS延时： 3 ， 4 ， 5
可编程附加延迟：0， 1 ，2，3和4中
写延迟（ WL ） =读延时（ RL ） -1
突发长度： 4,8 （隔行/半字节顺序）
可编程顺序/交错突发模式
双向差分数据选通（单端数据选通是一个可选功能）
片外驱动器（ OCD ）阻抗调整
片上终端与可选值（ 50/75/150欧姆或禁用）
PASR （部分阵列自刷新）
平均更新周期7.8us在比一件T低
例
85°C ， 3.9us在85°C <牛逼
例
< 95
°C
-
支持高温度自刷新速率使得功能
包装： 60ball FBGA - 64Mx8 ， 84ball FBGA - 32Mx16
所有无铅产品符合RoHS指令的
注：有关详细DDR2 SDRAM操作，请参考三星的设备操作&时序图。
地址配置
组织
64Mx8 （512MB ）的基础模块
32Mx16 （512MB ）的基础模块
行地址
A0-A13
A0-A12
列地址
A0-A9
A0-A9
银行地址
BA0-BA1
BA0-BA1
自动预充电
A10
A10
修订版1.2 2005年08月
