CPH6517
从接下页。
参数
直流电流增益
直流电流增益比
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
hFE1
hFE2
的hFE （小/
大）
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
条件
VCE = 2V ， IC = 10毫安
VCE = 2V ， IC = 400毫安
VCE = 2V ， IC = 10毫安
VCE = 2V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 5毫安， IB = 0.5毫安
IC =的200mA， IB = 10毫安
IC =的200mA， IB = 10毫安
IC = 10μA ， IE = 0
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0
20
15
5
评级
民
160
80
0.8
0.98
300
4
15
160
0.95
30
300
1.2
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
典型值
最大
560
单位
200
IC - VCE
mA
A
m
0.9
0.8mA
0
1.
0.7mA
600
IC - VBE
VCE=2V
集电极电流， IC - 毫安
0.6mA
集电极电流， IC - 毫安
160
500
0.5mA
120
400
0.4mA
80
300
0.3mA
0.2mA
200
40
0.1mA
100
0
0
0.4
0.8
1.2
IB=0
1.6
2.0
ITR10442
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
7
5
基极发射极电压VBE - V
2
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
ITR10443
的hFE - IC
VCE=2V
增益带宽积， F T - 兆赫
F T - IC
VCE=2V
1000
7
5
直流电流增益， hFE参数
3
2
Ta=75°C
25
°C
--25°C
3
2
100
7
5
3
2
1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7 100
2
3
5
7
100
7
5
5
7
10
2
3
5
7
100
2
3
5
集电极电流， IC - 毫安
5
3
ITR10444
5
集电极电流， IC - 毫安
ITR10445
COB - VCB
f=1MHz
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - 毫伏
VCE （SAT） - IC
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
IC / IB = 20
输出电容，科夫 - pF的
2
10
7
5
3
2
25
°
5
°
C
Ta=7
--25
°
C
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
C
1.0
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
10
3
5 7 100
2
3
5 7
集电极 - 基极电压VCB - V
ITR10446
集电极电流， IC - 毫安
ITR10447
No.7385-2/3
