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三菱的LSI
M5M5V108CFP ,副总裁, RV , KV , KR -70HI , -10HI ,
-70XI , -10XI
1048576 - BIT ( 131072 -字×8位)的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
VCC
V
I
V
O
P
d
T
OPR
T
英镑
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
相对于GND
Ta=25°C
参数
条件
评级
– 0.3*~4.6
- 0.3 * VCC + 0.3
(最多4.6 )
0~Vcc
700
– 40~85
– 65~150
单位
V
V
V
mW
°C
°C
* -3.0V的情况下交流(脉冲宽度
为30ns )
DC电气特性
(大= - 40 85°C , VCC = 2.7 3.6V ,除非另有说明)
符号
V
IH
V
IL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
I
I
O
I
CC1
I
CC2
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压1
高电平输出电压2
低电平输出电压
输入电流
输出电流在关断状态
主动电源电流
主动电源电流
测试条件
范围
2.0
I
OH
= ± 0.5毫安
I
OH
= - 0.05毫安
I
OL
= 2毫安
V
I
=0~Vcc
S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
或OE = V
IH
V
I / O
=0~V
CC
S
1
=V
IL
,S
2
=V
IH
,
其他输入= V
IH
或V
IL
输出开(占空比100 % )
70ns
100ns
1MHz
~25°C
~40°C
~70°C
~85°C
~25°C
-xi
~40°C
~70°C
~85°C
I
CC4
待机电流
S
1
=V
IH
或S
2
=V
IL
,
其他输入= 0 V
CC
–0.3*
2.4
VCC
– 0.5
0.4
±1
±1
35
30
5
1.2
3.6
12
24
0.6
1.8
4.8
9.6
0.33
mA
A
A
mA
典型值
最大
VCC
+ 0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
A
A
I
CC3
待机电流
1) S
2
0.2V
其他输入= 0 V
CC
2) S
1
V
CC
–0.2V,
S
2
V
CC
–0.2V
其他输入= 0 V
CC
* -3.0V的情况下交流(脉冲宽度
为30ns )
电容
(大= - 40 85°C ,除非另有说明)
符号
C
I
C
O
参数
输入电容
输出电容
测试条件
V
I
= GND ,V
I
= 25mVrms , F = 1MHz的
V
O
= GND ,V
O
= 25mVrms , F = 1MHz的
范围
典型值
最大
6
10
单位
pF
pF
注1 :方向为电流流入到一个集成电路是正的(无标记) 。
2 :典型值是VCC = 3V ,TA = 25℃
三菱
3

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