NTMS4404N
功率MOSFET
30 V ， 12 A单N沟道， SO- 8
特点
高密度功率MOSFET，超低低R
DS （ ON）
对于更高
效率
小型SO- 8表面贴装封装节省电路板空间
I
DSS
指定高温
二极管具有高转速，软恢复
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
9.7毫瓦@ 10 V
15.5毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
12 A
对于电池电源产品电源管理
便携式产品
电脑，打印机， PCMCIA卡
手机，无绳电话
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
tp
v10
s
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
E
AS
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
$20
9.6
7.6
12
1.56
2.5
7.0
5.6
0.83
50
-55
150
6.0
500
W
A
°C
A
mJ
A
1
单位
V
V
A
G
S
标记图/
引脚分配
W
来源
来源
来源
门
1
E4404N
LYWW
8
漏
漏
漏
漏
稳定状态
tp
v10
s
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
TP = 10
女士，
DC = 2％
SO8
CASE 751
12风格
顶视图
E4404N =器件代码
L
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 20 V, V
GS
= 5 V，I
PK
= 7.25 A,
L = 19 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
包
SO8
航运
2500 /磁带&卷轴
T
L
260
°C
NTMS4404NR2
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - T = 1 0秒（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
80
50
150
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积= 1.127平方英寸。 [ 1盎司]包括痕迹）
2.表面安装使用推荐的最小焊盘FR4板
尺寸（铜面积=在平0.412 ）。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年11月 - 第1版
出版订单号：
NTMS4404N/D
