NTP52N10
功率MOSFET
52安培， 100伏
N沟道增强型TO- 220
特点
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
较高的雪崩能量
I
DSS
和R
DS （ ON）
指定高温
典型应用
http://onsemi.com
PWM电机控制
电源
转换器
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至源极电压（R
GS
= 1.0 M)
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏 - 连续@ T
A
25°C
- 连续@ T
A
100°C
- 脉冲（注1 ）
总功率耗散@ T
A
25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
单漏 - 源雪崩能量
- 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 VDC ，
I
L
（PK ）= 40 A，L = 1.0 mH的，R
G
= 25
)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
100
100
"20
"40
52
40
156
178
1.43
-55
+150
800
ADC
单位
VDC
VDC
VDC
52安培
100伏
30毫欧@ V
GS
= 10 V
N沟道
D
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
瓦
W / ℃，
°C
mJ
TO220AB
CASE 221A
风格5
1
NTP52N10
LLYWW
1
门
3
来源
2
漏
° C / W
R
θJC
R
θJA
T
L
0.7
62.5
260
°C
2
3
NTP52N10
LL
Y
WW
1.脉冲测试：脉冲宽度= 10
s,
占空比= 2 ％ 。
=器件代码
=地点代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP52N10
包
TO220AB
航运
50单位/铁
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第2版
出版订单号：
NTP52N10/D
