1M / 2M / 4M位串行闪存与40MHz的SPI
NX25P10 ， NX25P20和NX25P40
表2 ：状态寄存器内存保护
状态寄存器
(1)
BP2 BP1 BP0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
x
0
1
0
1
x
所属部门
无
7
图6和7
4到7
所有
NX25P40 （ 4M位）内存保护
地址
密度
无
070000h - 07FFFFh
060000h - 07FFFFh
040000h - 07FFFFh
000000 - 07FFFFh
无
512K-bit
1M-bit
2M-bit
4M-bit
一部分
无
上部1/8
上部1/4
上部1/2
所有
1
2
3
状态寄存器
(1)
BP2 BP1 BP0
x
x
x
x
0
0
1
1
0
1
0
1
所属部门
无
3
图2和3
所有
NX25P20 （ 2M位）内存保护
地址
密度
无
030000h - 03FFFFh
020000h - 03FFFFh
000000 - 03FFFFh
无
512K-bit
1M-bit
2M-bit
一部分
无
上部1/4
上部1/2
所有
4
5
6
7
8
9
10
11
12
状态寄存器
(1)
BP2 BP1 BP0
x
x
x
0
1
1
x
0
1
所属部门
无
无
所有
NX25P10 （ 1M位）内存保护
地址
密度
无
无
000000 - 01FFFFh
无
无
1M-bit
一部分
无
无
所有
注意事项：
1， X =无关。
NexFlash技术公司
初步
MKP -0009第六版NXSF040I - 0405
04/04/05
9
