三菱IGBT模块
CM75E3U-24H
高功率开关使用
绝缘型
半桥
开关特性
（典型值）
反向恢复特性
（典型值）
的di / dt = -150A /微秒
T
j
= 25°C
反向恢复电流，I
rr
（安培）
栅极电荷V
GE
10
3
t
f
反向恢复时间，T
rr
（纳秒）
10
3
V
CC
= 600V
V
GE
=
±15V
R
G
= 4.2
T
j
= 125°C
t
D（关闭）
10
2
20
栅极 - 发射极电压V
GE
（伏）
I
C
= 75A
切换时间（纳秒）
15
V
CC
= 400V
V
CC
= 600V
10
2
t
D（上）
10
2
t
rr
I
rr
10
1
10
10
1
t
r
5
10
0
10
0
10
1
集电极电流，I
C
（安培）
10
2
10
1
10
0
10
0
10
1
发射极电流，I
E
（安培）
10
2
0
0
100
200
300
400
栅极电荷，Q
G
（ NC ）
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
瞬态热
阻抗特性
（IGBT）
瞬态热
阻抗特性
（ FWDI ）
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.21 ° C / W
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.47 ° C / W
10
-1
10
-1
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
-2
10
-2
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
10
-3
10
-5
TIME ， （S ）
10
-4
10
-3
10
-3
Sep.1998
