16兆位并行的SuperFlash + 2/4/8兆位的SRAM ComboMemory

SST34HF1602C / SST34HF1622C / SST34HF1642C

SST34HF1642D / SST34HF1682D / SST34HF1622S / SST34HF1642S

SST34HF16x2x16Mb CSF + 2/4/8 Mb的SRAM （ X16 ） MCP ComboMemory

超前信息

产品特点：

闪光灯组织： 1M X16或X8 2M

双银结构的并行

读/写操作

- 16兆位： 4兆位+ 12兆位

（ P） SRAM组织：

- 2兆比特： 128K X16或X8 256K

- 4兆位： 256K X16或X8 512K

- 8兆比特： 512K X16或X8 1024K

单2.7-3.3V读写操作

卓越的可靠性

- 耐力： 100,000次（典型值）

- 大于100年数据保存时间

低功耗：

- 工作电流：25 mA（典型值）

- 待机电流： 20 μA （典型值）

硬件扇区保护（ WP ＃ ）

- 保护4外大部分行业（ 4 KWord的）在

通过举办WP ＃低，取消保护大型银行

通过举办WP ＃高

硬件复位引脚（ RST ＃ ）

- 复位内部状态机读

数据数组

字节选择为Flash （ CIOF针）

=选择8位或16位模式

扇区擦除功能

- 统一2K字扇区

块擦除功能

- 统一32K字块

读取时间

- 闪光： 70纳秒

- （ P） SRAM ： 70纳秒

擦除暂停/擦除恢复功能

安全ID功能

- SST ： 128位

- 用户： 128位

锁存地址和数据

快速擦除和可字/字节编程（典型值） ：

- 扇区擦除时间： 18毫秒

- 块擦除时间： 18毫秒

- 芯片擦除时间： 35毫秒

- 字编程时间： 7微秒

自动写时序

=内部

V

PP

GENERATION

检测写操作结束的

- 触发位

- 数据＃投票

=就绪/忙＃引脚

CMOS I / O兼容性

JEDEC标准命令集

封装

- 56球LFBGA （8毫米X 10毫米）

- 62球LFBGA （8毫米X 10毫米）

产品说明

该SST34HF16x2C / D / S ComboMemory设备英特

篦无论是1M X16或X8 2M CMOS闪存库

与无论是128K X16 / X8 256K ， 256K X16 / 512 x8或512K

X16 / X8 1024K CMOS SRAM或伪SRAM （ PSRAM ）

在多芯片封装（ MCP）的存储器区块。这些

设备使用的是编造SST专有的，高性

曼斯CMOS超快闪技术的结合

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入到

实现更高的可靠性和可制造性与比较

另一种方法。该SST34HF16x2C / D / S设备

是理想的应用，如蜂窝电话，全球定位系统

设备，PDA等便携式电子在一个设备

低功耗和小尺寸的系统。

该SST34HF16x2C / D / S配备了双闪存库

体系结构允许的并发操作

2闪速存储器区块和（P）的SRAM中。该器件

可以读取从任一银行，而擦除或编程数据

操作是在对岸进展。这两个闪光

2004硅存储技术公司

S71256-00-000

3/04

1

内存块被划分为4兆，12兆与

用于存储引导代码，程序顶部部门保护选项

代码，配置/参数数据和用户数据。

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术，其擦除

并积累了擦除/编程亲次数的增加

克周期。该SST34HF16x2C / D / S设备提供

保证续航能力达10000次。数据保存

额定功率大于100年。高性能

字编程，闪速存储器组提供一个典型

字编程的7微秒的时间。整个闪存

银行可擦除和编程的字的字中的典

ically 4秒为SST34HF16x2C / D / S ，使用时

接口功能，如翻转位，数据＃查询或RY /

BY ＃指示完成程序操作。对

在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ，Inc.的商标Intel是Intel Corporation的注册商标。

CSF和ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。

规格若有变更，恕不另行通知。