HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)

256 Mbit的双数据速率SDRAM

电气特性

4

4.1

表14

参数

电气特性

工作条件

绝对最大额定值

符号

值

分钟。典型值。马克斯。

–0.5 –

–1

–1

–1

0

-55

–

–

–

–

–

–

–

1.5

50

单位注/测试条件

–

–

–

–

–

–

–

–

在I / O引脚相电压

V

SS

在相对于输入电压

V

SS

电压

V

DD

相对于供应

V

SS

电压

V

DDQ

相对于供应

V

SS

工作温度（环境）

存储温度（塑料）

功耗（每SDRAM组件）

短路输出电流

V

IN

,

V

OUT

V

IN

V

DD

V

DDQ

T

A

T

英镑

P

D

I

OUT

V

DDQ

+0.5 V

+3.6

+3.6

+3.6

+70

+150

–

–

V

V

V

°C

°C

W

mA

注意：该设备永久损坏，如果“绝对最大额定值”超出可能发生。这

是一个压力只有评级，以及功能操作应仅限于推荐工作

条件。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能

影响设备的可靠性，只有超过一个值可能会造成不可逆的损害

集成电路。

表15

参数

输入和输出的电容

符号

分钟。

值

典型值。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

马克斯。

2.5

3.0

0.25

2.5

3.0

0.5

4.5

5.0

0.5

pF

pF

pF

pF

pF

pF

pF

pF

pF

1.5

2.0

—

1.5

2.0

—

3.5

4.0

单位

注意： /

测试条件

P-TFBGA-60-12

1)

P-TSOPII-66

1)

1)

输入电容： CK ， CK

三角洲输入电容

输入电容：

所有其他输入专用管脚

三角洲输入电容：

所有其他输入专用管脚

C

I1

C

dI1

C

I2

C

DIO

P-TFBGA-60-12

1)

P-TSOPII-66

1)

1)

输入/输出电容： DQ ， DQS ， DM

C

IO

P-TFBGA-60-12

1)2)

P-TSOPII-66

1)2)

1)

三角洲输入/输出电容：

DQ ， DQS ， DM

C

DIO

—

1 ）这些值不是产品出厂测试 - 已经过设计/特性验证，并在只样本库进行测试。

VDDQ = VDD = 2.5 V± 0.2 V ， F = 100 MHz时， TA = 25 ×C ， VOUT （ DC ） = VDDQ / 2 ， VOUT （峰峰值） 0.2五，未使用的引脚

被接地。

2） DM输入被分组与I / O引脚反映它们是匹配于装载到DQ和DQS便于跟踪的事实

在板级匹配。

数据表

62

修订版1.6 ， 2004-12