加利福尼亚微设备公司

PAC DN007

同样，对于负ESD脉冲，寄生串联电感从V

N

脚在地上轨道会导致显着

上线增加负电压的保护。

另一个要考虑的是用于快速瞬态电流的电源的输出阻抗。大多数电源

表现出相当高的输出阻抗，以快速瞬态电流尖峰。在V

Z

上述等式中，V

供应

来看，在

现实中，是通过（Ⅴ给出

DC

+ I

ESD

个R

OUT

） ，其中V

DC

和R

OUT

是标称电源的DC输出电压和有效输出

电源分别阻抗。作为一个例子，其特征

OUT

1欧姆将导致一个10V增量V中

Z

一

峰值I

ESD

的10A 。

为了减轻这些影响，高频旁路电容应连接在V之间

P

该ESD保护引脚

阵列和所述接地平面。这个旁路电容的值的选择应使得其会吸收电荷

在V微小转移的ESD脉冲

P

。通常在0.1 μF至0.2 μF范围内的值是足够的

IEC - 61000-4-2第4级接触放电保护（ 8KV ） 。对于更高的ESD电压，旁路电容应

相应增加。安装短的印刷电路板走线的陶瓷贴片电容是本不错的选择

应用程序。应避免使用电解电容，因为它们具有差的高频特性。对于额外的保护，

平行于旁路电容器连接一个齐纳二极管，以减轻寄生串联电感的影响

固有的电容器。齐纳二极管的击穿电压应比最大供应略高

电压。

作为一般规则，预计将ESD保护阵列应尽可能靠近尽可能入口点

静电放电。上面提到的电源旁路电容应尽量靠近V

P

的销

保护阵列成为可能，以最小的PCB走线长度的电源层和接地层，以减少杂散

串联电感。

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