TLHG / O / P / R / Y420 。
威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
0
°
I
VREL
- 相对发光强度
日前，Vishay
10
°
20
°
125
P - 功耗（MW ）
V
30°
100
75
50
25
0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0
20
40
60
80
100
95 10041
95 10904
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图1.功耗与环境温度
图4.相对。发光强度与角位移
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
60
I
F
- 正向电流（mA ）
红
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10
s
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
10
1
0.1
0
95 10026
2
4
6
8
10
95 10905
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度的InGaN
图5.正向电流与正向电压
I
V REL
- 相对发光强度
10000
T
AMB
≤
65
°
C
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
红
1000
t
p
/T= 0.01
0.02
0.05
1.2
100
1
10
0.5 0.2
0.1
0.8
0.4
I
F
= 10毫安
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
1
0.01
95 10047
0
0.1
1
10
100
95 10027
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图3.正向电流与脉冲宽度
图6.相对。发光强度与环境温度
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文档编号83005
修订版1.3 ， 8月31日 - 04
