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MC-4532CC727
串行PD
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
函数来描述
定义的字节数写入
PD系列内存
串行存储器PD的总字节数
基本内存类型
行数
列数
银行的数量
数据宽度
数据宽度（续）
电压接口
CL = 3周期时间
CL = 3访问时间
DIMM配置类型
刷新率/类型
SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟
突发长度支持
银行的每个SDRAM的数
支持/ CAS延迟
支持/ CS延迟
/ WE潜伏期支持
SDRAM模块属性
SDRAM器件的属性：一般
CL = 2的时间周期
CL = 2存取时间
（十六进制）
80H
08H
04H
0CH
0AH
02H
48H
00H
01H
75H
54H
02H
80H
08H
08H
01H
8FH
04H
06H
01H
01H
00H
0EH
A0H
60H
00H
t
RP （分钟）
t
RRD （ MIN 。 ）
t
RCD （ MIN 。 ）
t
RAS （分钟）
模块库密度
14H
0FH
14H
2DH
20H
第7位
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
第6位
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
第5位
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
4位
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
第3位
0
1
0
1
1
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1
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0
0
0
0
1
1
0
1
0
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0
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0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
第2位
0
0
1
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0
0
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0
1
1
1
0
0
0
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0
0
1
1
1
1
0
第1位
0
0
0
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1
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0
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0
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0
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0
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0
0
0
1
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0
0
位0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
20纳秒
15纳秒
20纳秒
45纳秒
128M字节
10纳秒
6纳秒
(1/2)
笔记
128字节
256字节
SDRAM
12行
10列
2银行
72位
0
LVTTL
7.5纳秒
5.4纳秒
ECC
正常
×8
×8
1时钟
1, 2, 4, 8, F
4银行
2, 3
0
0
5
18
19
20
21
22
5
5
5
5
23
24
25-26
27
28
29
30
31
10
数据表M14277EJ2V0DS00
