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AT90CAN128
SRAM数据存储器
图10显示了AT90CAN128 SRAM空间的组织结构。
该AT90CAN128是一个复杂的微控制器，更多的外围设备相比，可以
在操作码留给IN和OUT的64个单元中所支持的指令
系统蒸发散。对于扩展的I / O空间0x60 - 0xFF的SRAM中，只能使用ST / STS / STD和
LD / LDS / LDD指令都可以使用。
较低的1,280个数据存储器包括了寄存器文件，I / O存储器，
扩展I / O存储器及内部数据SRAM 。第32个地址为
寄存器文件，然后是64个标准I / O内存， 160个
扩展I / O存储器，接下来的4096字节的内部数据SRAM 。
可选的外部数据SRAM可以使用与AT90CAN128 。这将SRAM
占据在64K的地址空间上的剩余地址单元中的区域。这个区域
在开始下面的内部SRAM的地址。寄存器文件， I / O ，扩展I / O
和内部SRAM占据了低4352字节，所以使用64 KB的时候（ 65,536
外部存储器字节） ，可61184字节外部存储器。请参阅“克斯特
最终存储器接口“第24页的详细信息，如何利用外部优势
存储器映射。
SRAM的数据访问
当访问SRAM存储器空间中的地址超过内部数据
存储单元，所述外部数据SRAM被用作为同一指令访问
对于内部数据存储器的访问。当内部数据存储器进行访问，
在读写选通引脚（ PG0和PG1 ）是在整个访问非活动
周期。外部SRAM通过设置XMCRA的SRE位启用
注册。
访问外部SRAM要多一个额外的时钟周期比访问
内部SRAM 。这意味着，命令LD ， ST ， LDS ， STS ， LDD ， STD ，
PUSH ，并需要额外的一个时钟周期。如果堆栈放置在外部
SRAM ，中断，子程序调用和返回需要三个时钟周期，因为有
两个字节的程序计数器入栈和出栈，以及外部存储器访问不
利用内部管线存储器存取。当外部SRAM接口
使用的等待状态时， 1字节的外部访问带有两个，三个或四个附加
分别的时钟周期为一个，两个，和三个等待状态。中断，子程序调用
并返回需要五，七，九个时钟周期多在指令超过规定
中置手册一，二，三等待状态。
对于数据存储器的五个不同的寻址方式：直接寻址，带偏移
安置，间接寻址，带预减量和间接后增量。在
寄存器文件中的寄存器R26到R31为间接寻址的指针寄存器。
直接寻址范围可达整个数据空间。
间接与位移模式，达到从基地63个地址
由Y轴或Z寄存器指定的地址。
当使用带预减和后间接寻址模式
增量，地址寄存器X，Y和Z的增加或减少。
在32个通用工作寄存器， 64个I / O寄存器， 160个扩展I / O雷吉斯
TER值，并在AT90CAN128的1024个字节的内部数据SRAM全部是无障碍设施
通过所有上述的寻址模式。寄存器文件中的“通用说明
注册文件“第11页。
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4250E–CAN–12/04
