TPIC6B273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS031 - 1994年4月 - 修订1995年7月
D
D
D
D
D
D
低R
DS （ ON）
. . . 5
典型
雪崩能量。 。 。 30兆焦耳
八DMOS功率三极管的输出
150 mA的持续电流
500 - mA的典型电流限制能力
输出钳位电压。 。 。 50 V
低功耗
DW或N包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TPIC6B273是一款单芯片，高电压，
中等电流，功率逻辑八路D型锁存器
与DMOS晶体管输出，专为使用
需要相对高的负载功率的系统。
该器件包含一个内置的电压钳位
输出端的电感瞬态保护。
功率驱动器应用包括继电器，电磁铁
noids ，和其他中等电流或高电压
负载。
该TPIC6B273包含八个正边沿
触发的D型触发器具有直接清零输入端。
每个触发器具有一个漏极开路功率
DMOS晶体管输出。
当清除（ CLR ）为高，信息在D
输入满足建立时间要求的
转移到漏输出的正性
走的时钟（CLK）脉冲的边缘。时钟
触发发生在一个特定的电压电平与
不直接相关的转移时间
正向脉冲。当在时钟输入（CLK）
是在高或低电平时， D输入端的信号
具有在输出没有影响。异步CLR
提供把所有八个DMOS晶体管
输出关闭。当数据为低一个给定的输出，
在DMOS晶体管输出关闭。当数据是
高， DMOS晶体管输出具有吸收电流
能力。
输出低端，漏极开路DMOS
晶体管与50 V和150 mA的输出额定值
连续吸收电流能力。每路输出
提供在500 mA的典型电流限制
T
C
= 25°C 。电流限制降低为
结温增加额外的
设备的保护。
CLR
D1
D2
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
D3
D4
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
D8
D7
DRAIN8
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
D6
D5
CLK
逻辑符号
CLR
CLK
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
1
11
2
3
8
9
12
13
18
19
R
C1
1D
4
5
6
7
14
15
16
17
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
DRAIN8
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
和IEC出版617-12 。
功能表
（每个通道）
输入
CLR
L
H
H
H
CLK
X
↑
↑
L
D
X
H
L
X
产量
漏
H
L
H
LATCHED
H =水平高， L =水平低，X =无关
该TPIC6B273的特点是操作上的工作温度范围 - 40 ° C至125°C 。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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