公元前368
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 25 V
V
CB
= 25 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5 V
直流电流增益
I
C
= 5毫安;
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安;
V
CE
= 1 V
1)
I
C
= 1 A;
V
CE
= 1 V
1)
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 1 A;
I
B
= 100毫安
基射极电压
1)
I
C
= 5毫安;
V
CE
= 10 V
I
C
= 1 A;
V
CE
= 1 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
f
T
–
100
–
兆赫
V
(BR)CE0
V
(BR)CB0
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
50
85
60
V
CESAT
V
BE
–
–
0.6
–
–
1
–
–
160
–
–
–
375
–
0.5
V
–
–
–
–
100
10
100
nA
A
nA
–
20
25
5
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
≤
2 %.
半导体集团
2
