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E
符号
A
0
–A
21
DQ
0
-DQ
7
DQ
8
-DQ
15
CE＃
3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
表2. 3伏高级+引导块引脚说明
TYPE
输入
名称和功能
地址输入
为存储器地址。地址是内部
在编程或擦除周期锁定。
8兆位×8 A [ 0-19 ] ， 16兆位×8 A [ 0-20 ] ， 32 - Mbit的X 8 A [ 0-21 ]
8兆位×16 A [ 0-18 ] ， 16兆位×16 A [ 0-19 ] ， 32兆位×16 A [ 0-20 ]
数据输入/输出：
输入第二CE＃阵列的数据和
程序命令期间WE＃周期。输入命令到
当CE＃和WE ＃信号有效命令的用户界面。数据
内部锁存。输出数组，配置和状态寄存器的数据。
数据引脚浮到当芯片被取消选择或输出三态
被禁用。
数据输入/输出：
输入第二CE＃阵列的数据和
程序命令期间WE＃周期。数据在内部锁存。
输出阵列和配置数据。数据引脚浮到三态时，
该芯片被去选择。
不包括对X8产品。
CHIP ENABLE ：
激活内部控制逻辑，输入缓冲器，
解码器和读出放大器。 CE＃为低电平有效。 CE＃高去选择
存储装置和功耗降低至备用水平。
OUTPUT ENABLE ：
通过数据使能器件的输出
在读取操作期间缓冲器。 OE ＃为低电平有效。
写使能：
控制写入命令寄存器和
存储器阵列。 WE＃为低电平有效。地址和数据锁存
第二WE＃脉冲的上升沿。
RESET /深度掉电：
采用两个电压等级（V
IL
, V
IH
）以
控制复位/深度掉电模式。
当RP ＃为逻辑低电平时，器件处于复位/深度掉电
模式，
它驱动输出高阻，复位写状态
机，并最大限度地减少电流电平（I
CCD
).
当RP ＃处于逻辑高电平时，设备处于标准操作。
当从逻辑低到逻辑高RP ＃转换，设备重置所有
块锁定，默认为读阵列模式。
输入/输出
输入/输出
输入
OE ＃
WE＃
输入
输入
RP ＃
输入
WP ＃
输入
写保护：
控制灵活的锁定功能
锁定功能
当WP＃为逻辑低电平时，所述向下锁定机构被启用
和
块标记为向下锁定不能用软件来解锁。
当WP＃为逻辑高电平时，向下锁定机构处于关闭状态
和
先前锁定的块现在被锁定，并且可以解锁并
通过软件锁定。经过WP ＃变低，任何块以前
显着的向下锁定恢复到那个状态。
请参见第3.3节的块锁的详细信息。
V
CC
供应
器件电源：
[ 2.7 V - 3.6 V]供应电源装置
操作。
产品预览
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