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3 VOLT ADVANCED + BOOT BLOCK
3.2.5
编程模式
编程是使用双写执行
序列。程序设置命令( 40H )是
写入到崔后跟一个第二写入其中
指定的地址和数据进行编程。
该WSM将执行内部序列
定时事件编程的所需位
解决的位置,然后验证位
充分编程。编程内存
内的地址位置的结果中的特定位
被改变为“0”。如果用户试图
程序的“1” ,存储单元的内容不
改变并不会发生错误。
状态寄存器指示编程状态:
程序顺序执行时,状态位7
是“0”状态寄存器可通过切换轮询
CE#或OE # 。在编程时,只
有效的命令是读状态寄存器,
程序挂起,并计划继续。
当编程完成后,程序
状态位应该进行检查。如果编程
手术很成功,状态位SR.4
寄存器被设置为指示一个程序失败。如果SR.3
被设置,那么V
PP
是不能接受的限度之内,并且
在WSM没有执行程序的命令。如果
SR.1设置,程序操作试图在
锁定块和操作被中止。
状态寄存器前应清除
在尝试下一次操作。任何崔指令
可以按照程序完成后,
然而,为了防止意外的状态寄存器
读,一定要复位崔读阵列模式。
3.2.5.1
暂停和恢复
节目
A读阵列命令现在可以写入
CUI从块比其它读取的数据的哪
被暂停。唯一的其他有效的命令,
而节目暂停,正在读状态
寄存器,读配置,读取查询,并
程序恢复。程序恢复后
命令被写入到快闪存储器中, WSM
将继续与编程过程和
状态寄存器位SR.2和SR.7会自动
被清除。设备会自动输出状态
当读出时寄存器数据(参见图13中的附录
B,
程序挂起/恢复流程
)后的
程序恢复命令写入。 V
PP
必须
保持在相同的V
PP
级别用于程序
而在程序挂起模式。 RP #还必须
保持在V
IH
.
3.2.6
擦除模式
E
要擦除的块,写擦除集
-
和擦除
确认一个命令给崔,沿
地址识别该块被擦除。这
地址是内部锁存时擦除
确认命令发出。块擦除结果
在块内的所有的位被设定为“1 ” ,只有一个
块可以同时被擦除。在WSM会
执行的内部定时的事件序列
程序块中的所有位为“ 0”时,清除所有的位
块中为“ 1 ”,然后确认中的所有位
该块被充分擦除。而擦除
执行时,状态位7是“0”。
当状态寄存器指示擦除是
完成后,检查擦除状态位,以验证
擦除操作是成功的。如果擦除
手术很成功,地位SR.5
寄存器将被设置为“1 ”,表示一个擦除
失败。如果V
PP
不经过可接受的限度内
擦除确认命令发出后, WSM
将不执行擦除序列;相反, SR.5
的状态寄存器被设置为指示的擦除
错误,并SR.3被设置为“1” ,以确定使V
PP
电源电压是不能接受的限度内。
擦除操作后,清除状态寄存器
( 50H )尝试下一个操作之前。任何
崔指令可以按照擦除后是
完成;然而,为了防止意外的状态
寄存器读,最好是放置在闪光
读阵列模式后擦除完毕。
程序挂起命令停止了在
-
进度计划的操作,使得数据可以
从内存的其他位置读取。一旦
编程过程开始,写程序
暂停命令崔请求的
WSM暂停程序执行的顺序(在
预定点中的程序的算法) 。
该设备将继续输出状态寄存器的数据
该程序后挂起命令写入。
查询状态寄存器的位SR.7和SR.2会
确定当所述程序操作已
暂停(两者都将被置为“1 ”)。吨
WHRH1
/t
EHRH1
指定程序暂停的等待时间。
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