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4 -PIN光电晶体管
光电耦合器
H11AA814系列
H11A617系列
H11A817系列
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
DC特性
测试条件
(I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V） （注1 ）
(I
F
= -1毫安，V
CE
= 5 V） （注1 ）
符号
设备
H11AA814
H11AA814A
H11A617A
(I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A617B
H11A617C
H11A617D
电流传输
比
(I
F
= 5毫安， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A817
CTR
H11A817A
H11A817B
H11A817C
H11A817D
H11A617A
(I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V） （注1 ）
H11A617B
H11A617C
H11A617D
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
上升时间
下降时间
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 2 V ，R
L
= 100V ） （注2 ）
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 2 V ，R
L
= 100V ） （注2 ）
t
r
t
f
所有
所有
2.4
2.4
18
18
s
s
(I
C
= 1毫安，我
F
= -20毫安）
(I
C
= 2.5毫安，我
F
= 10 mA）的
(I
C
= 1毫安，我
F
= 20 mA）的
H11AA814/A
V
CE （SAT）
H11A617A/B/C/D
H11A817/A/B/C/D
民
20
50
40
63
100
160
50
80
130
200
300
13
22
34
56
0.2
0.4
0.2
V
典型*
最大
300
150
80
125
200
320
600
160
260
400
600
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
隔离特性
特征
输入输出隔离电压（注3 ）
绝缘电阻
隔离电容
*在T典型值
A
= 25°C.
笔记
1.电流传输比（ CTR ） = I
C
/I
F
x 100%.
2.对于测试电路的设置和波形，请参阅图8 。
3.对于本试验中，引脚1和2是常见的，销3和4中是常见的。
测试条件
F = 60Hz的， T = 1分
(V
我-O
= 500 VDC）
(V
我-O
= 0中，f = 1 MHz）的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
10
11
0.5
典型*
最大
单位
VAC （ RMS）
pf
2003仙童半导体公司
第3 9
4/24/03
