数据表
硅晶体管
2SC4225
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
超级迷你模具
描述
该2SC4225是专为低一个NPN硅外延晶体管
噪声放大器在通过VHF UHF频段。
它具有大动态范围和良好的电流特性。
包装尺寸
以毫米为单位
2.1 ± 0.1
1.25 ± 0.1
特点
2.0 ± 0.2
0.3
+0.1
–0
低噪声和高增益
NF = 1.5 dB典型值。
S
21e
2
= 10 dB典型值。
在V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安， F = 1 GHz的
在V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
（参考值）
0.65 0.65
2
0.3
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CB0
V
CE0
V
EB0
I
C
P
T
T
j
T
英镑
25
12
3.0
70
160
150
-65到+150
V
V
V
mA
mW
C
C
0.9 ± 0.1
记号
电气特性（T
A
= 25 C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CB0
I
EB0
h
FE
f
T
C
ob
S
21e
2
NF
7.5
40
80
4
1.2
9.0
1.5
3.0
1.8
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
1.0
200
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
单位
测试条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 2 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安，脉冲
A
A
GHz的
pF
dB
dB
V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 1GHz的
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
R2
R2
40至120
R3
R3
100至200
一号文件P11192EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1996年P月
日本印刷
0-0.1
0.15
+0.1
–0.05
0.3
+0.1
–0
1
3
1996
