反射式光敏（光反射器）
CNB1302
反射型光电传感器
概观
CNB1302是一个小的，薄的反射光传感器构成的
高效率的GaAs红外发光二极管，其是集成
具有高灵敏度硅光电晶体管在一个单一的树脂封装。
单位：mm
马克指示
阳极侧
C0.5
1
3
9.0±1.0
2.0±0.2
芯片
中心
超小型，超薄型： 2.7
×
3.4毫米（高度： 1.5 mm）的
可见光截止树脂时
响应速度快：吨
r
, t
f
= 20μS （典型值）。
简单的接口控制电路
9.0±1.0
2.7±0.2
0.4
4-0.7
4-0.5
±0.1
2
1.8
4
特点
2.0±0.2
0.5
0.15
电机等旋转单元控制
检测的位置和边缘
检测纸张，胶片和布
开始，结束标记检测磁带
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
反向电压（DC）的
输入（淡
正向工作电流（DC）的
发光二极管）
功耗
集电极电流
输出（照片集电极到发射极电压
晶体管）
发射极到集电极的电压
集电极耗散功率
温度
工作环境温度
储存温度
符号等级
V
R
I
F
P
D
*1
单位
V
mA
mW
mA
V
V
mW
C
C
*1
3
50
75
20
30
5
50
-25至+85
I
C
V
首席执行官
V
ECO
P
C
*2
T
OPR
T
英镑
-30到+100
输入功率降额比例
1.0毫瓦/ C在Ta
≥
25C.
*2
输出功率降额比例
0.67毫瓦/ C在Ta
≥
25C.
电气特性
（ TA = 25°C ）
Paramwter
正向电压（ DC）的
输入
反向电流（ DC ）
特征
终端之间的电容
输出特性集电极截止电流
集电极电流
漏电流
转让
特性响应时间
符号
V
F
I
R
C
t
I
首席执行官
I
D
I
F
= 50毫安
V
R
= 3V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
V
CE
= 10V
90
20
0.4
*2
产量
条件
I
C*1, *2
V
CC
= 5V ，我
F
= 10毫安，R
L
= 100Ω ， D = 1毫米
V
CC
= 5V ，我
F
= 10毫安，R
L
= 100
t
r*3
, t
f*4
V
CC
= 5V ，我
C
= 0.1毫安，R
L
= 100
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
I
F
= 20mA时，我
C
= 0.1毫安
*1
I
C
分类
类
I
C
(A)
Q
90 220
R
180 440
S
360到880
*3
时间
*4
时间
,,
,
V
CC
所需的输出电流增大，从10 ％至90％最终值的
I
F
减少从90％到其初始值的10％所需的输出电流
,,
,,
1
2 3
4
引脚连接
应用
1.5±0.2
3.4±0.3
民
典型值
1.3
0.01
30
最大
1.5
10
200
880
200
单位
V
A
pF
nA
A
nA
s
V
,,,
,,,
,,,
,,,
,,
,,
电流测量方法
I
C
R
L
蒸发铝
玻璃板
（T =仅1mm）
1
