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P L I M I N A R
修订概要FOR AM29LV800B
版本E
特色鲜明
改变的典型读取和编程/擦除电流光谱
ifications 。
设备现在有最低保证续航能力
百万写周期。
图1 ,在系统部门保护/撤消
算法
纠正A6为0 ,改变等待规范150
S上界保护和部门撤消15毫秒。
DC特性
改变的典型读取和编程/擦除电流光谱
ifications 。
AC特性
版本E + 1
图2 ,在系统部门保护/撤消
算法
该部门保护算法,增加了一个“复位
PLSCNT = 1保护其他节“的路径,从盒子”
TOR ? “回到设定的下一个扇区地址。
DC特性
改变的注1 ,以指示OE#为在V
IH
对于
上市电流。
AC特性
擦除/编程操作;备用CE#控制
擦除/编程操作:
更正的说明为参考
ENCE在t
WHWH1
和T
WHWH2
。这些参数是
100 %测试。纠正T的注释引用
VCS
.
这个参数不是100 %测试。
临时机构撤消表
在t补充说明参考
VIDR
。该参数不
100 %测试。
图23 ,部门保护/撤消时序
不需要在第一写周期的有效地址;
只有数据为60h 。
擦除和编程性能
注2 ,在最坏的情况下续航能力,现在百万赛扬
克莱斯。
备用CE #控制的擦除/编程操作:
改变的吨
CP
到35纳秒为70R , 80 ,和90速
选项。
擦除和编程性能
设备现在有最低保证续航能力
百万写周期。
物理尺寸
纠正尺寸封装的长度和宽度
FBGA插图(独立数据表的版本) 。
商标
版权所有1998 Advanced Micro Devices公司, Inc.保留所有权利。
AMD ,AMD标识及其组合是Advanced Micro Devices ,Inc.的注册商标。
ExpressFlash是Advanced Micro Devices公司的商标。
本出版物中使用的产品名称仅用于识别目的,可能是其各自公司的商标。
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Am29LV800B
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