V

GS （TH ）

归一化阈值电压

1.2

2.2

R

DS （ON ） ，

归一化的导通电阻

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

-50 -25

0

25

50

75

100 125 150

新产品

1.1

V

GS

= 10V

I

D

= 170m

1

0.9

0.8

0.7

T

J

，结温（℃ ）

图。 3栅极阈值随温度的变化

50

F = 1.0MHz的

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

T

J

，结温（℃ ）

图。 4导通电阻随温度的变化

250

P

D

，功耗（毫瓦）

40

C，电容（pF ）

200

30

150

20

西塞

100

10

50

科斯

CRSS

0

0

10

20

15

V

DS

，漏源电压（V ）

图。 5典型电容

5

25

0

0

100

T

A

，环境温度（ ° C）

图。 6功率降额曲线，总包

200

订购信息

（注3）

设备

BSS123W-7

注意事项：

包装

SOT-323

航运

3000 /磁带&卷轴

3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

K23

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

JAN

1

2002

N

FEB

2

三月

3

2003

P

APR

4

K23 =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年份例如： N = 2002年

M =月前： 9 =九月

YM

2004

R

五月

5

JUN

6

2005

S

JUL

7

2006

T

八月

8

2007

U

SEP

9

十月

O

2008

V

NOV

N

2009

W

DEC

D

DS30368修订版2 - 2

3 3

www.diodes.com

BSS123W