初步数据
9漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （TJ）
参数：
I
D
= -14.9 A,
V
GS
= -4.5 V
12
BSO201SP
10栅极阈值电压
V
GS （ TH）
=
f
（ TJ ）
参数：
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= -250 A
1.6
m
-
V
GS （ TH）
V
R
DS （ ON）
1.2
98%
10
98%
1
9
0.8
8
0.6
典型值。
典型值。
7
0.4
6
2%
0.2
5
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
0
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
11典型。电容
C
=
f
(V
DS
)
参数：
V
GS
=0,
f=1
兆赫
10
4
12前进的性格。反向二极管
I
F
=
f
(V
SD
)
参数：
T
J，T
p
= 80 s
-10
2
BSO201SP
西塞
A
-10
1
C
pF
科斯
I
F
-10
0
T
j
= 25°C （典型值）
T
j
= 150℃ （典型值）
CRSS
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
10
3
0
5
10
V
20
-10
-1
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2
-2.4
V
-3
-
V
DS
V
SD
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2001-12-21
