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ADuM1300/ADuM1301
电气特性- 3 V操作
1
2.7 V ≤ V
DD1
≤ 3.6 V, 2.7 V ≤ V
DD2
≤ 3.6 V ;所有最小值/最大值规格适用于整个推荐的工作范围，除非另外
智者说;所有典型规格在T
A
= 25 ° C，V
DD1
= V
DD2
= 3.0 V.
表2中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流，每通道静态
输出电源电流，每通道静态
ADuM1300 ，总电源电流，三路
2
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（ BRW和CRW等级只）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
90 Mbps的（仅CRW级）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM1301 ，总电源电流，三路
2
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（ BRW和CRW等级只）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
90 Mbps的（仅CRW级）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低输出电压
符号
I
DDI （ Q）
I
DDO （ Q）
民
典型值
0.26
0.11
最大单位
0.31
0.14
mA
mA
测试条件
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (90)
I
DD2 (90)
0.9
0.4
3.4
1.1
31
8
1.7
0.7
4.9
1.6
48
13
mA
mA
mA
mA
mA
mA
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
45 MHz的逻辑信号频率。
45 MHz的逻辑信号频率。
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
DD1 (90)
I
DD2 (90)
I
IA
, I
IB
, I
IC ，
I
E1
, I
E2
V
IH
, V
EH
V
IL
, V
EL
V
OAH
, V
OBH
,
V
OCH
V
OAL
, V
OBL
, V
OCL
–10
1.6
0.7
0.6
2.6
1.8
24
16
1.4
0.9
3.7
2.5
36
23
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
V
V
V
V
V
V
DC至1 MHz逻辑信号频率。
DC至1 MHz逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
5 MHz的逻辑信号频率。
45 MHz的逻辑信号频率。
45 MHz的逻辑信号频率。
0 ≤ V
IA
, V
IB
, V
IC
≤ V
DD1
或V
DD2
,
0 ≤ V
E1
,V
E2
≤ V
DD1
或V
DD2
+0.01 +10
0.4
V
DD1,
V
DD2
– 0.1 3.0
V
DD1,
V
DD2
– 0.4 2.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
I
Ox
= -20 μA ，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安， V
Ix
= V
IXL
交换特定网络阳离子
ADuM130xARW
最小脉冲宽度
3
最大数据速率
4
传播延迟
5
脉冲宽度失真， |吨
PLH
– t
PHL
|
5
传播延迟偏斜
6
通道到通道匹配
7
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
1
50
75
1000 NS
Mbps的
100纳秒
40
ns
50
ns
50
ns
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
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