FT04...E/F
逻辑电平双向可控硅
通态电流
门极触发电流
< 5毫安到< 10毫安
TO202-1 （ E）
TO202-3 （ F）
4安培
断态电压
MT2
MT2
200 V ÷ 600 V
MT1
MT2
G
这一系列的
双向可控硅
使用高
性能PNPN技术。
MT1
MT2
G
这些部件被用于一般
目的AC开关应用
高电感负载。
绝对最大额定值，根据IEC出版物第134号
符号
参数
RMS通态电流
不重复通态电流
不重复通态电流
熔断电流
栅极峰值电流
峰值功耗门
门耗散
通态电流临界上升率
工作温度
储存温度
焊接温度
条件
所有的导通角，T
c
= 110 C
半周期， 60赫兹
半周期， 50赫兹
t
p
= 10毫秒，半周期
20微秒最大。
20微秒最大。
20 ms以下。
I
G
= 2×我
GT
Tr
≤
200纳秒， F = 120赫兹
T
j
= 125 C
分钟。
4
21
20
2.2
1.2
2
0.2
20
-40
-40
从案例1.6毫米， 10S最大。
+125
+150
260
马克斯。
单位
A
A
A
A
2
s
A
W
W
A / μs的
C
C
C
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
TSM
I
2
t
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
的di / dt
T
j
T
英镑
T
SLD
符号
参数
重复峰值关闭状态
电压
条件
R
GK
= 1 K
B
200
电压
D
400
M
600
单位
V
V
DRM
V
RRM
七月 - 02
