场效应管偏置控制器
草案发行A - 2000年12月
设备描述
该ZNBR系列器件被设计成
满足GaAs组成的偏差的要求和
HEMT FET的卫星常用
接收机的LNB ， PMR ，移动电话等。
用最少的外部元件
之间的V型
CC
的3-6V以提高效率。
用加入了两个电容器和
电阻器件提供漏极电压
和电流控制为一定数量的外部
接地源场效应管，产生的
需要FET栅极调节负电压轨
偏置而从单一经营
供应量。这种负面的偏见，在-3伏，可以
也可用于提供其他外部
电路。
该ZNBR4000 / 1和ZNBR6000 / 1包含
四和六偏阶段分别。在
设置漏电流ZNBR4000 / 1 2
电阻器允许单个FET对控制
不同层次的ZNBR6000 / 1 2
电阻，二和四之间的分割控制
场效应管。这就允许的工作电流
输入的FET进行调整，以最小化噪声，
而下面的FET阶段可
分别为最大增益进行调节。
该系列还提供漏极的选择
V LTA克（E T） ○B （E S） （E T） F或T他F ê Ts时，
ZNBR4000 / 6000提供了2.2伏，而漏
在ZNBR4001 / 6001提供了2伏。
ZNBR4000 ZNBR4001
ZNBR6000 ZNBR6001
这些器件是无条件稳定
在整个工作温度与
场效应管到位，受到包容性
推荐的栅极和漏极的电容器。
这保证RF的稳定性和最小的
注入噪声。
因此能够比器件充分使用较少
场效应管的偏置控制的补充，未使用
漏极和栅极连接可以保持打开状态
电路在不影响操作
剩下的偏置电路。
为了保护外部FET的
电路已经被设计成确保在
在任何条件包括电源下
向上/向下瞬变，从栅极驱动器
偏置电路不能超出的范围-2.5V
到0.7V 。此外，如果负轨
遇到故障状态，如
过载或短路，漏电供给到
场效应管将关闭，避免过度
目前溢流。
该ZNBR4000 / 1和ZNBR6000 / 1顷
在QSOP16和20引脚封装
分别为最小的器件尺寸。
器件的工作温度为-40至70℃
以适应宽范围的环境
条件。
特点
应用
V
CC
3-6V ，以提高效率的
提供偏置的GaAs和HEMT FET的
驱动多达四个或六个场效应管
动态FET保护
漏极电流设定由外部电阻
调节负电压轨生成
只需要2个外部电容
选择在漏极电压
宽电源电压范围
QSOP表面贴装封装
卫星接收机的LNB
专用移动无线电（ PMR ）
移动电话
1
