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L
OW
N
OISE
, H
室内运动场
L
INEARITY
P
包装运输
pHEMT制
FPD2250SOT89
典型的I -V特性
直流IV曲线FPD2250SOT89
0.90
0.80
0.70
漏源电流（A ）
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
漏源极电压（ V）
VG=-1.50V
VG=-1.25V
VG=-1.00V
VG=-0.75V
VG=-0.50V
VG=-0.25V
VG=0V
注意：测量我的推荐方法
DSS
或任何特定本人
DS
，是设置漏源
电压（V
DS
） ，在1.3V 。该测定点避免寄生自激振荡的发生而
通常会扭曲电流测量（该效果已被过滤的IV曲线
上面介绍） 。设置V
DS
> 1.3V通常会导致错误的测量电流，
即使在稳定电路。
建议：传统设备的I
DSS
评级（我
DS
在V
GS
= 0V ）作为一个预测器
RF功率，而对于MESFET的有我之间的相关性
DSS
和P
1dB
（功率增益1分贝
压缩）。对于pHEMTs它可以证明有
no
有意义的统计相关性
我的
DSS
和P
1dB
;具体的线性回归分析显示为R
2
< 0.7 ，回归
失败的F统计检验。我
DSS
是有时以电路调谐的引导是有用的，因为在S
22
没有变化
与静态工作点我
DS
.
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传真：
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修改后：
01/05/05
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