FQP1P50
2000年6月
QFET
FQP1P50
500V P沟道MOSFET
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
基于互补适合电子镇流器
半桥。
TM
特点
-1.5A ， -500V ，R
DS （ ON）
= 10.5 @V
GS
= -10 V
低栅极电荷（典型的11 NC ）
低的Crss （典型值6.0 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
S
!
●
●
G
!
G
DS
▲
●
TO-220
FQP系列
!
D
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
FQP1P50
-500
-1.5
-0.95
-6.0
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
110
-1.5
6.3
-4.5
63
0.51
-55到+150
300
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
典型值
--
0.5
--
最大
1.98
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年6月
