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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过BF421 / D
高电压晶体管
PNP硅
集热器
2
3
BASE
1
辐射源
BF421
BF423
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
BF421
–300
–300
–5.0
–500
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
BF423
–250
–250
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-11 ,风格14
TO-92 (TO- 226AA )
PD
TJ , TSTG
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = -1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = -100
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = -100
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = -200伏, IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = -5.0伏, IC = 0 )
1.脉冲测试:脉冲宽度
V( BR ) CEO
BF421
BF423
V( BR ) CBO
BF421
BF423
V( BR ) EBO
BF421
BF423
ICBO
BF421
BF423
IEBO
BF421
BF423
–100
–0.01
NADC
–5.0
–5.0
–300
–250
VDC
–300
–250
VDC
VDC
m
ADC
v
300
m
S;占空比
v
2.0%.
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1998年
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