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超小型高精度电压检测器
S- 808xxC系列
3， S- 80846KNUA - D2C -T2 ， S- 80846KNY -X
表20
Rev.3.2
_00
项
检测电压
*1
滞后幅度
消耗电流
工作电压
输出电流
漏电流
符号
V
DET
V
HYS
I
SS
V
DD
I
OUT
I
泄漏
条件
V
DD
=6.0
V
输出晶体管，V
DD
=1.2
V
N沟道，V
DS
=0.5
V V
DD
=2.4
V
输出晶体管，
N沟道，V
DD
=10.0
V, V
DS
=10.0
V
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
TEST
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电路
*2
4.500 4.600
4.700
V
1
0.05
0.10
0.9
2.7
2
A
0.95
10.0
V
1
0.59
1.36
mA
3
2.88
4.98
0.1
A
响应时间
t
PLH
60
1
s
检测电压
V
DET
温度
TA = -40 ° C至85°C
±100
±350
PPM /°C的
*3
Ta
V
DET
系数
*1.
V
DET
：实际检测电压值
*2.
设定检测电压值（ -V
DET （S ）
)
*3.
温度变化率的检测电压[毫伏/ ℃]是通过使用下面的等式计算。
V
DET
[
毫伏/
°
C
]
*1
=
V
DET （S ）
(
典型值。
)
[
V
]
*2
×
V
DET
[
PPM /
°
C
]
*3
÷
1000
Ta
Ta
V
DET
*1.
检测电压的温度变化率
*2.
设定检测电压
*3.
检测电压的温度系数
注意事项
静电放电不适用本IC虽内置的收视成绩
静电保护电路。
在S - 808xxC系列的CMOS输出产品，所述穿心式电流流在检测和
释放。如果输入阻抗高，振动可能会由于通过贯通型的电压降会发生
期间释放电流。
在CMOS输出产品时，一个下拉电阻器被使用时，有可能发生振荡的下落速度
电源电压（V
DD
）是在检测电压附近缓慢。
当使用本文所述的应用电路，该产品偏差设计为大量生产和
温度特性应予以考虑。公司概不承担任何的责任
本文中所描述的电路制品。
SII索赔没有任何责任，所产生的或与任何侵权有关的所有纠纷
产品经第三方拥有的专利包括本IC 。
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精工电子有限公司
