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超小型高精度电压检测器
S- 808xxC系列
手术
1.基本工作： CMOS输出（低电平有效）
Rev.3.2
_00
1-1.
当电源电压（V
DD
）低于释放电压（+ V更高
DET
） ， N沟道晶体管
OFF，P沟道晶体管来提供V
DD
（高）的输出。由于N沟道晶体管N1的
(R
B
+
R
C
)
V
DD
图15
为OFF时，比较器的输入电压为
.
R
A
+
R
B
+
R
C
1-2.
当V
DD
低于
+V
DET
时，输出提供在V
DD
电平，只要在V
DD
仍以上
检测电压
V
DET
。当V
DD
瀑布下方
V
DET
在（ A点
图16
） ，N沟道晶体管
变为ON，P沟道晶体管变为OFF ，并且在V
SS
电平出现在输出端。此时
N沟道晶体管N1的
图15
变为ON时，比较器的输入电压被改变为
R
B
V
DD
.
R
A
+
R
B
1-3.
当V
DD
低于最小工作电压，则输出不确定，或者进到
V
DD
当输出被上拉至V
DD
.
1-4.
在V
SS
水平出现V时
DD
上升到高于最小工作电压。在V
SS
水平仍
即使出现在V
DD
超过
V
DET
的，只要它不超过所述释放电压
+V
DET
.
1-5.
当V
DD
上述上升
+V
DET
在（ B点
图16
） ， N沟道晶体管变为OFF，P沟道
晶体管变为ON， V
DD
在输出电平。
VDD
*1
*1
R
A
R
B
V
REF
R
C
+
PCH
*1
OUT
NCH
N1
VSS
*1.
Parasiteic二极管
图15操作1
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