LMP7701
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
ESD容差（注2 ）
人体模型
机器型号
V
IN
迪FF erential
电源电压（V
S
= V
+
– V
)
电压输入/输出引脚
输入电流
存储温度范围
2千伏
200V
结温（注3 ）
焊接信息
红外线或对流（ 20秒）
无铅波峰焊温度。 （ 10
秒）
+150C
235C
260C
±
300毫伏
13.2V
V
+
+ 0.3V, V
0.3V
10毫安
-65 ° C至+ 150°C
（注4 ）
工作额定值
（注1 ）
温度范围（注3 ）
电源电压（V
S
= V – V )
封装热阻（ θ
JA
（注3） ）
5引脚SOT23
234C/W
+
-40 ° C至+ 125°C
2.7V至12V
3V电气特性
符号
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
CMVR
A
VOL
参数
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输入共模电压范围
大信号电压增益
除非另有说明，所有参数都保证对于T
A
= 25 ° C，V
+
= 3V, V
= 0V, V
CM
= V
+
/ 2，和R
L
＆ GT ;
10 kΩ到V
+
/2.
粗体
限制适用于极端温度。
条件
民
（注6 ）
典型值
（注5 ）
最大
（注6 ）
单位
±
37
（注7 ）
（注7,8）
±
1
0.3
40
±
200
±
500
±
5
10
300
V
μV/°C
pA
fA
dB
dB
0V
≤
V
CM
≤
3V
2.7V
≤
V
+
≤
12V ， VO = V
+
/2
CMRR
≥
80分贝
CMRR
≥
77分贝
R
L
= 2 k
V
O
= 0.3V至2.7V
R
L
= 10 k
V
O
= 0.2V至2.8V
86
80
86
82
–0.2
–0.2
100
96
100
96
2.92
2.88
2.96
2.94
98
98
3.2
3.2
114
124
2.96
2.97
0.04
0.02
0.06
0.08
0.04
0.05
V
dB
V
O
输出摆幅高
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
输出摆幅低
R
L
= 2 kΩ到V
+
/2
R
L
= 10 kΩ到V
+
/2
V
I
O
输出短路电流
（注3,9）
采购V
O
= 0V
V
IN
= 100 mV的
下沉V
O
= 3V
V
IN
= -100 mV的
25
15
25
20
42
42
0.670
1.0
1.2
mA
I
S
SR
GBW
THD + N
e
n
电源电流
压摆率（注10 ）
增益带宽积
总谐波失真+噪声
输入参考电压噪声
F = 1千赫，平均= 1，R
L
= 1 k
F = 1千赫
A
V
= +1, V
O
= 2 V
PP
10 ％至90％
mA
V / μs的
兆赫
%
内华达州/
0.9
2.5
0.02
12
www.national.com
2
