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COP8CBE9 / CCE9 / CDE9 8位CMOS闪存的微控制器具有8K内存，虚拟
EEPROM ， 10位A / D和掉电复位
初步
2002年4月
COP8CBE9/CCE9/CDE9
8位CMOS闪存微控制器，具有8K内存，
虚拟EEPROM ， 10位A / D和掉电复位
概述
该COP8CBE9 / CCE9 / CDE9闪存微控制器
高度集成的缔约方大会第八届会议
功能核心器件，具有8K
Flash存储器和先进的功能，包括虚拟EE-
PROM ， A / D转换，高速定时器， USART ，以及掉电
复位。该单芯片CMOS器件适合于应用
包含在此数据表中的设备：
设备
COP8CBE9
COP8CCE9
闪存程序
存储器（字节）
8k
8k
内存
（字节）
256
256
掉电
电压
2.7V至2.9V
4.17V至4.5V
I / O
引脚
37,39
37,39
套餐
44 LLP ， 44PLCC ，
48 TSSOP
44 LLP ， 44PLCC ，
48 TSSOP
44 LLP ，
44 PLCC ，
48 TSSOP
温度
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 125°C
需要一个功能齐全，系统内可再编程系统蒸发散
控制器具有大容量内存和低EMI 。相同的设备
用于开发，预生产和生产量
灰与一系列COP8软件和硬件开发的
换货工具。
COP8CDE9
8k
256
不掉电
37,39
特点
主要特点
n
8K字节的Flash程序存储器，具有安全功能
n
使用Flash程序存储器虚拟EEPROM
n
256字节非易失性RAM
n
10位逐次逼近型模数转换器
转换器（多达16个通道）
n
100 ％精确的模拟仿真
n
USART与片内波特率发生器
n
2.7V - 5.5V在系统中可编程闪存
n
高耐力-100k读/写周期
n
高级数据保留 - 百年
n
双时钟运行与HALT / IDLE省电
模式
n
2个16位定时器：
- 定时器T2可以以高速运转（50纳秒
分辨率）
- 处理器独立PWM模式
- 外部事件计数器模式
- 输入捕捉模式
n
欠压复位（ COP8CBE9 / CCE9 ）
n
大电流的I / O
- B0- B3 ： 10毫安
@
0.3V
- 所有的人： 10毫安
@
1.0V
其他特点
n
单电源供电：
- 2.7V - 5.5V （0C至+ 70°C ）
- 4.5V - 5.5V （ -40°C至+ 125°C ）
n
静音设计（低电磁辐射）
n
多输入唤醒可选中断
n
MICROWIRE / PLUS （串行外设接口
兼容）
n
时钟倍频为20 MHz工作频率为10 MHz的
振荡器，具有0.5微秒指令周期
n
十一多源向量中断服务：
外部中断
- USART （ 2 ）
- 空闲定时器T0
- 两个定时器（每个2中断）
- MICROWIRE / PLUS串行外设接口
- 多输入唤醒
- 软件陷阱
n
空闲定时器，可编程中断间隔
n
8位堆栈指针SP （堆栈中的RAM）
n
2个8位寄存器间接数据存储器指针
n
真正的位操作
n
看门狗和时钟监控器的逻辑
n
软件可选的I / O选项
- 三态输出/高阻抗输入
- 推挽输出
- 弱上拉输入
n
对我施密特触发器输入/输出端口
n
温度范围： 0°C至+ 70°C和-40°C至+ 125°C
(COP8CCE9/CDE9)
n
包装： 44 PLCC ， 44 LLP和48 TSSOP
COP8
是美国国家半导体公司的商标。
2002美国国家半导体公司
DS200225
www.national.com
