FPD33684
RSDS特点
（续）
DS200113-2
图1. RSDS
信号定义
模拟电气特性
符号
I
DD2
I
HBIAS
PD
V
GMA1
V
GMA5
V
GMA6
V
GMA10
V
CS
参数
电源电流消耗
通过电流消耗
HBIAS销
功耗
上RDAC高侧输入
上RDAC低侧输入
较低的RDAC高侧输入
较低的RDAC低侧输入
充电电压股
（注7 ）
（注8）
（注8）
（注8）
（注8）
V
DD2
/2
+ 0.2
V
DD2
/2
+ 0.2
0.2
0.2
该
更大
V的
DD1
or
V
GMA6
30
V
SS2
+
0.2
每
V
GMA1
= V
DD2
0.2V
V
GMA10
= V
SS2
+ 0.2V
（注9 ）
（注10 ）
（注11 ）
12.0
15.0
（注7 ）
条件
民
典型值
3.0
1.25
45
V
DD2
0.2
V
DD2
0.2
V
DD2
/2
0.2
V
DD2
/2
0.2
最大
8.0
单位
mA
mA
mW
V
V
V
V
V
GMA5
V
C
负载
V
OUT
R
DAC
V
pperr
输出容性负载
输出电压范围
RDAC引用（V
GMA1
to
V
GMA5
和V
GMA6
到V
GMA10
)
输出峰峰值误差（灰
通过58级0 ）
输出峰峰值误差（灰
经过63平59 ）
150
V
DD2
0.2
18.0
pF
V
k
mV
mV
mV
mA
±
3
±
5
±
12
±
25
±
5
V
parterr
I
OUT RP
输出部分之间的误差
修复缓冲区输出电流
±
2
±
3
注7 ：
V
DD2
= 10.5V, V
HBIAS
= 10.5V, V
DD1
= 3.3V ， DCLK = 65兆赫，R
负载
= 5 kΩ的，C
负载
= 50 pF的，充电时间份额为1.5微秒，与其他所有摇摆
V
GMA1
（= 8.0V ）和V
GMA10
（= 0.5V ）与行时间= 22微秒。
注8 ：
必须保持在基准电压之间有如下关系： V
DD2
＆ GT ;
V
GMA1
＆ GT ;
V
GMA2
＆ GT ;
V
GMA3
＆ GT ;
V
GMA4
＆ GT ;
V
GMA5
＆ GT ;
V
GMA6
＆ GT ;
V
GMA7
＆ GT ;
V
GMA8
＆ GT ;
V
GMA9
＆ GT ;
V
GMA10
＆ GT ;
V
SS2
注9 ：
V
pperr
被定义为误差的峰 - 峰输出电压为每个灰度级时的输出摆幅从灰度级高的值（ VHxx ）到灰
级别较低的值（ VLxx ） 。此参数适用于在芯片的每个输出。典型的值表示从理想的基础上最终测试数据的一个标准偏差。
注10 ：
V
parterr
是为了保证该部分之间的输出变化。所有输出中的灰度级32的平均进行比较的标称灰度级32的值。
注11 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。 | V
OUT
V
IN
|
＆ GT ;
500mV.
3
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