PA89 PA89A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA
功耗，内置在T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S最大
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA89
测试条件
1
民
典型值
绝对最大额定值
特定网络阳离子
1200V
100mA
40W
±25V
±V
S
25V
300°C
150°C
-65 125°C
-55到125°C
±
PA89A
最大
民
典型值
最大
单位
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，随时间变化
偏置电流，初始
3
偏置电流， VS 。供应
偏置电流，初始
3
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
4
共模抑制， DC
输入噪声
收益
开环增益为10Hz
增益带宽积
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
4
电压摆幅
4
当前，连续
压摆率
容性负载， V = 10
容性负载， Av>10
建立时间0.1 ％
电源
电压，V
S4
目前，静态
热
电阻，交流，结到管壳
5
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
整个温度范围内，女> 60Hz的
整个温度范围内，女< 60Hz的
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
整个温度范围
±75
I
O
= 75毫安
整个温度范围内，我
O
= 20mA下
整个温度范围
C
C
= 15pF的，A
V
= 100
整个温度范围
整个温度范围
R
L
= 10KΩ ， 10V一步， Av = 10
R
L
= 10K ，C
C
= 15pF的
R
L
= 10K ，C
C
= 15pF的，A
V
= 100
R
L
= 10K ，C
C
= 15pF的，V
O
= 500V P-P
整个温度范围内，A
V
= 10
108
整个温度范围
整个温度范围
整个温度范围内，V
CM
=
±90V
10KHz的带宽，R
S
= 10K ，C
C
= 15pF的
±V
S
50
96
±
.5
10
7
75
5
.01
5
10
5
4
110
4
120
10
5
60
±
±
2
30
50
50
*
*
.25
5
*
*
3
*
3
*
*
*
.5
10
10
20
mV
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
M
pF
V
dB
V
RMS
dB
兆赫
千赫
°
V
V
mA
V / μs的
nF
s
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
30
±V
S
15
±V
S
20
±V
S
12
75
12
16
±
±
1
SOA
2
±500
4.8
2.1
3.3
15
–25
±600
6.0
2.3
3.5
+85
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
PA89A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA89 。
除非另有说明：T已
C
= 25°C, C
C
= 68pF的，R
C
= 220Ω ，和V
S
=
±500V.
输入参数的偏置电流和偏置
电压是
±
值给出。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。
双打的温度每增加10 ℃。
+V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
评级仅适用于在一个速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。
该PA89是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
小心
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