PA85 PA85A
一般
请阅读“一般操作注意事项”节
化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，
限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-
化。附加信息可以在应用程序中找到
注释。有关封装外形信息，散热片，并
安装硬件，请参阅“附件和包装
机械数据“手册的部分。
操作
注意事项
因为在特定网络阳离子其他地方上市的功耗
相比，静态功耗是显著
总。
输入保护
虽然PA85能承受高达差分电压为
±25V,
建议额外的外部保护。自
在PA85是一个高速扩增fi er ，低泄漏，低电容
连接成二极管tance JFET的建议（如
2N4416 ， Q1-Q4中的图2）。差动输入电压将
钳位到
±1.4V.
这是足够的过载，以产生
最大功率带宽。
电流限制
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须是
所示连接在外部连接图。该
最小值为1.4欧姆，但是最佳的可靠性
电阻值应设置得尽可能高。该值是
计算如下：与30的最大实用价值
欧姆。
.7
R
CL
=
I
LIM
- .016
电源保护
单向稳压二极管瞬态抑制器是recom-
谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位
内的电源等级和还瞬变电压
钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管
使用与否，在系统电源应该被评估
瞬态性能，包括上电过冲和
关闭电源极性反转以及行规。
条件可能会导致开路或极性rever-
应避免或受保护的或者电源轨的SAL
对。逆转或打开在负电源轨是
已知诱导输入级故障。单向transzorbs
防止这种情况，这是可取的，它们是在电气上和
物理上尽可能靠近放大器越好。
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。
但是，为了防止持续的，高能量的反激式，
外部快速恢复二极管应使用。
安全工作曲线
安全工作区曲线定义的最大额外
tional内部功耗放大器可以接受
当它产生所需的输出来驱动外部
负载。这是不一样的绝对最大内部
500
输出电流+ V
S
或-v
S
（毫安）
300
200
DC
稳定性
该PA85外部补偿和性能
可以针对该应用程序。用小信号的图形
响应和功率响应作为指导。补偿
电容C
C
必须在额定500V工作电压。一个非营利组织
电容。补偿网络C
C
R
C
必须紧密地安装到扩增fi er销7和8 ，以避免
寄生振荡。
20
0m
S
DC
,T
10
0m
S
+V
S
Z1
C
=
100
DC
,T
,T
25
°C
In
Q1
Q2
+ IN
Q3
PA85
Q4
4
6
Z2
–V
S
5
3
C
=
85
°C
50
30
20
C
=
12
5°
C
图2
过压
保护
PULSE曲线@ 10 ％占空比MAX
50
75 100 125
250
500
供应输出差分，V
S
–V
O
(V)
10
25
此数据表已经仔细
公司
5980北香农路
假设可能不准确
美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
APEX显微技术
检查，被认为是可靠的，但是，没有责任
is
亚利桑那州图森85741
或遗漏。所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
PA85U REV 。 L 1998年1月
1998顶点微技术公司
