位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第236页 > EDI88257C/LP-C > EDI88257C/LP-C PDF资料 > EDI88257C/LP-C PDF资料1第6页
EDI88257C
包9 ：
32 PIN SIDEBRAZED陶瓷DIP封装（ 600mils宽）
1.616
1.584
引脚1指示
0.175
0.125
0.061
0.017
0.020
0.016
15 x 0.100 = 1.500
0.060
0.040
0.620
0.600
0.100
典型值
0.155
0.115
0.600
喃
所有尺寸为英寸
订购信息
EDI 8 8 257 X X X
怀特电子设计
SRAM
组织， 256Kx8
技术：
C = CMOS标准电源
LP =低功耗
访问时间（纳秒）
套餐类型：
C = 32领先Sidebrazed DIP ， 600密耳（包9 ）
设备等级：
B = MIL - STD- 883标准
M =军事屏蔽
-55 ° C至+ 125°C
I =工业
-40 ° C至+ 85°C
C =商用
0 ° C至+ 70°C
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
6
