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EDI88128CS
HI-可靠性产品
128Kx8单片SRAM ， SMD 5962-89598
特点
s
15 * ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns存取时间
s
CS和OE功能的总线控制
s
2V数据保留（ EDI88128LPS ）
s
TTL兼容的输入和输出
s
完全静态的，并没有时钟
s
组织为128Kx8
s
商用，工业和军用温度范围
s
通孔和表面贴装封装引脚JEDEC
32引脚陶瓷DIP ， 400密耳（ 102包）
32引脚陶瓷DIP ， 600密耳（包9 ）
32引线陶瓷ZIP （ 100包）
32引线陶瓷SOJ （ 140包）
32片陶瓷LCC （ 141包）
32铅陶瓷扁平封装（封装142 ）
s
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
该EDI88128CS是一个高速，高性能， 128Kx8
兆位密度的单片CMOS静态RAM 。
该设备具有8双向输入输出线，以提供
同时访问所有的位在一个字。自动功率
下特征允许芯片上的电路进入一个非常低的
待机模式，并进行速度等于带回到操作
到的地址存取时间。
低功率版本2V数据保留（ EDI88128LPS ）是
也可用于备用电池opperation 。军用产品
提供符合MIL-PRF- 38535 。
* 15ns的存取时间是先进的信息，请联系工厂。
图。 1
引脚配置
32
32
32
32
DIP
SOJ
LCC
扁平
引脚说明
I / O
0-7
A
0-16
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（ + 5V
±10%)
地
没有连接
32 ZIP
顶视图
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32 V
CC
31 A15
30 NC
29我们
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CS
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A
I / O-
I/O1
I/O2
V
SS
顶视图
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
2 V
CC
4
A15
6
NC
8
WE
10 A13
12 A8
14 A9
16 A11
18 OE
20 A10
22 CS
24 I / O7
26 I / O6
28 I / O5
30 I / O4
32个I / O3
A
-16
WE
CS
OE
V
CC
V
SS
NC
框图
存储阵列
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
OE
2000年2月10牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
