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飞思卡尔半导体公司
静态电气特性
特征条件下，指出-40 °
≤
T
J
≤
125 ℃，除非另有说明。输入电压V
IN1
= V
IN2
= 3.3 V使用典型
应用电路（见
图20）
除非另有说明。
特征
符号
民
典型值
最大
单位
一般
工作电压范围（V
IN1
, V
IN2
)
启动电压阈值（升压型开关）
V
BST
欠压锁定
输入直流电源电流（正常工作模式，启用）
V
IN1
引脚输入电源电流（ EN1 = EN2 = 0 ）
V
IN
V
ST
V
BST_UVLO
I
IN
I
IN1
I
IN2
V
DDI
I
DDI
2.8
–
–
–
–
–
3.0
–
–
1.6
6.0
60
9.0
待定
–
待定
6.0
1.8
–
–
–
–
3.3
–
V
V
V
mA
mA
A
V
A
飞思卡尔半导体公司...
V
IN2
引脚输入漏电流（ EN1 = EN2 = 0 ）
V
DDI
内部电源电压
V
DDI
最大输出电流
降压转换器
降压转换器的输出电压范围
I
VOUT
= 30 mA至3.0 A，V
IN1
= V
IN2
= 2.8 V至6.0 V
降压转换器的反馈电压
I
VOUT
= 30 mA至3.0 A，V
IN1
= V
IN2
= 2.8 V至6.0 V.没有R
B
电阻器。
包括负载调节误差
降压转换器的电压余量步骤
降压转换器线路调整
V
IN1
= V
IN2
= 2.8 V至6.0 V，I
VOUT
= 3.0 A
降压转换器负载调整
I
VOUT
= 30 mA至3.0阿
V
OUT
输入漏电流
V
OUT
= 5.0 V
高侧功率MOSFET Q1
DS （ ON）
I
D
= 1.0 A，T
A
= 25 ° C，V
BST
= 8.0 V
低端功率MOSFET Q2
DS （ ON）
I
D
= 1.0 A，T
A
= 25 ° C，V
BST
= 8.0 V
降压转换器的峰值电流限制（高级别）
降压转换器谷电流限制（低电平）
V
OUT
下拉MOSFET Q3电流限制
T
A
= 25 ° C，V
BST
= 8.0 V
V
OUT
下拉MOSFET Q3
DS （ ON）
I
D
= 1.0 A，T
A
= 25 ° C，V
BST
= 8.0 V
热关断（切换器，V
OUT
FET）
热关断迟滞
T
SD
T
SDHYS
R
DS （ ON）
–
150
–
–
170
15
1.0
190
–
°C
°C
I
H_LIM
I
L_LIM
I
Q3_LIM
–
2.0
–
R
DS （ ON）
–
3.4
1.7
–
4.5
2.25
50
6.0
3.0
A
A
A
R
DS （ ON）
–
–
50
m
I
VOUTLK
–
待定
–
m
REG
LDVO
-1.0
–
1.0
A
V
MVO
REG
LNVO
-1.0
–
1.0
%
V
INV
0.784
–
0.8
1.0
0.816
–
%
%
V
OUT
0.8
–
5.0
V
V
33702
6
摩托罗拉模拟
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