KA5X02XX-SERIES
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
KA5x0265xRx
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
KA5x0280R
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
1.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
1
2.
S
= ---
-
R
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大。评级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
= 0.5B V
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关时间
基本上是独立的
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
= 0.5B V
DSS
（ MOSFET
切换时间是基本上
独立运营的
温度）
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大。评级，V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。评级
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
DS
= 50V ，我
D
=0.5A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
= 0.5B V
DSS
, I
D
=1.0A
（ MOSFET开关时间
基本上是独立的
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A,
V
DS
= 0.5B V
DSS
（ MOSFET
切换时间是基本上
独立运营的
温度）
分钟。
650
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.0
2.5
550
38
17
20
15
55
25
-
3
12
马克斯。
-
50
200
6.0
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
单位
V
A
A
S
pF
nS
nC
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
800
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.6
2.5
250
52
25
21
28
77
24
-
15
20
-
50
200
7.0
-
-
-
-
-
-
-
-
60
-
-
V
A
A
S
pF
nS
nC
3
