KA5H0380R/KA5M0380R/KA5L0380R
典型性能特性
10
1
V
GS
顶： 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
下图： 4.5V
10
0
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
150
o
C
@
注意事项：
1. 300秒脉冲测试
2. T
C
= 25
o
C
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
25
o
C
-25
o
C
@Notes ：
1. V
DS
= 30 V
2. 300
s PulseTest
6
8
10
4
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.输出特性
图2. Thansfer特点
8
7
Fig3 。导通电阻与漏电流
10
漏源导通电阻
6
5
4
3
2
1
0
Vgs=20V
I
DR
，反向漏电流[ A]
Vgs=10V
R
DS （ ON）
, [ ]
1
150
o
C
25
o
C
@Note ： TJ = 25 ℃
0
1
2
3
4
0.1
0.4
0.6
0.8
@Notes ：
1. V
GS
= 0V
2. 300
s脉冲测试
1.0
I
D
，漏电流
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻与漏电流
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
1000
900
800
700
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
10
V
DS
=160V
V
GS
，栅源电压[V]
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
8
V
DS
=400V
V
DS
=640V
电容[ pF的]
600
500
400
300
200
100
0
10
0
C
国际空间站
6
4
C
OSS
C
RSS
10
1
2
@Note ：我
D
=3.0A
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容与漏源电压
图6.栅极电荷与栅源电压
5
