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怀特电子设计
512K ×32的CMOS高速静态RAM
特点
n
DSP的存储解决方案
??摩托罗拉DSP96002
??模拟SHARC DSP
??德州仪器TMS320C3X ， TMS320C4X
n
随机存取存储器阵列
??快速访问时间： 12 * ， 15 ， 17 ，和20ns的
TTL兼容的输入和输出
??完全静态的，并没有时钟
n
表面贴装封装
?? 68引脚PLCC ， 99号JEDEC M0-47AE
??占地面积小， 0.990平方米。在。
??多个接地引脚的最大
噪声抗扰度
n
单+ 5V （ ± 5 ％ ）电源供电
*超前信息。
EDI8L32512C
描述
该EDI8L32512C是一个高速，5V， 16兆位的
SRAM 。该器件可提供的访问时间
12 ， 15 ， 17和20ns的允许创建一个没有等待
国家DSP的内存解决方案。高速， 5V
电源电压和控制线使该器件非常适用
创建浮点DSP的内存解决方案。
该装置可被配置为512K ×32和用于
创建用于在单个芯片的外部数据存储器溶液
TI公司的TMS320C30 / C31 （图8 ） ， TMS320C32 （图9）
或TMS320C4X （图10） ，摩托罗拉DSP96002和
ADI公司SHARC DSP （图11） 。可选地，所述
设备的芯片使可用于其配置为1M
X 16. 1M ×48程序存储器阵列模拟的
SHARC的DSP是用三个设备（图12）创建的。
如果内存过深，二512K X 24S （ EDI8L24512C ）
可以用来创建一个512K ×48阵列或两个128K X 24秒
（ EDI8L24128C ）可以被用来创建一个128K ×48阵列。
该器件提供节省56 ％的空间时，
相比于4 512K ×8 ， 36针SOJs 。此外
该EDI8L32512C对数据仅一个10pF的负载
线与32pF四个塑料SOJs 。
该装置提供的一个存贮器升级
EDI8L32256C （ 256K ×32）或EDI8L32128C （ 128K X
32）。有关其他升级信息参见图13 。
注：焊锡再溢流温度应不超过230 ℃下进行10秒。
图。 1
引脚配置和框图
DQ16
A18
A17
E3
E2
E1
E0
NC
V
CC
NC
NC
G
W
A16
A15
A14
DQ15
引脚名称
A
0-18
E
0-3
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
V
CC
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
地址输入
芯片启用（每字节）
写使能
主输出使能
常见的数据输入/输出
电源（ + 5V
±5%)
地
无连接
字节控制
表
芯片
字节
使能控制
E
0
E
1
E
2
E
3
DQ
0-7
DQ
8-15
DQ
16-23
DQ
24-31
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
V
CC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
W
G
DQ
0-31
V
CC
V
SS
NC
注：有关内存升级的信息，请参阅第8页，图13
"EDI MCM -L的升级Path."
2000年8月修订版7
ECO ＃ 13097
1
A
0
-
18
G
W
E
0
E
1
E
2
E
3
19
DQ31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
DQ0
512K ×32
内存
ARRAY
DQ
0-7
DQ
8-15
DQ
16-23
DQ
24-31
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