怀特电子设计
DC ê
LECTRICAL
C
极特
参数
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全CMOS待机
电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高Volltage
输出低电压
符号
ICC1
ICC2
ICC3
条件
W = VIL ， II / O = 0毫安，
闵周期
ê > VIH ， VIN < VIL或
VIN > VIH ， F = MHz
> VCC - 0.2V
VIN > VCC- 0.2V或
VIN < 0.2V
VIN = 0V至VCC
V I / O = 0V至VCC
IOH = -4.0mA
IOL = 8.0毫安
民
EDI8L24129V
10ns
420
90
10
最大
12-15ns
360
75
10
单位
ns
mA
mA
mA
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
±10
±10
2.4
0.4
±10
±10
0.4
A
A
V
V
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
图。 1
R
L
= 50
D
OUT
Z
0
= 50
AC牛逼
美东时间
C
ONDITIONS
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
VSS至3.0V
5ns
1.5V
图1
V
L
=1.5V
30pf
（注：对于TEHQZ ， TGHQZ和TWLQZ ，图2 ）
图。 2
+3.3V
319
D
OUT
353
5pf
3
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