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EDI9LC644V
绝对最大额定值
在相对于VSS VCC电压
VIN（ DQX ）
存储温度（ BGA ）
结温
短路输出电流
-0.5V至+ 4.6V
-0.5V到VCC + 0.5V
-55 ° C至+ 125°C
+175°C
百毫安
建议的直流工作
条件
（0°C - T的
A
70°C;
V
CC
= 3.3V -5% / +10%
参数
除非另有说明
)
民
最大
单位
符号
*压力大于下"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该器件在这些或任何其他条件更大的功能的操作
除在本规范阳离子业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
电源电压
1
输入高电压
1,2
输入低电压
1,2
输入漏电流
0 - V
IN
- V C C
漏输出（输出禁用）
0 - V
IN
- V C C
高输出（I
OH
= -4mA ）
1
输出低（我
OL
= 8毫安）
1
注意事项：
V
CC
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
3.135
2.0
-0.3
-10
-10
2.4
—
3.6
V
CC
+0.3
0.8
10
10
—
0.4
V
V
V
A
A
V
V
1.引用到Vss （ GND）所有电压。
2.过冲： V
IH
+ 6.0V为吨 - 吨
KC
/2
Underershoot ： V
IL
-2.0V对于T - T的
KC
/2
直流电AL特性
描述
条件
符号
频率
典型值
最大
单位
电源电流：
工作（ 1,2,3 ）
SSRAM主动/ DRAM自动刷新
I
CC
1
电源电流
操作
1,2,3
SSRAM主动/ DRAM空闲
I
CC
2
电源电流
操作
1,2,3
SDRAM主动/ SSRAM闲置
SSCE和SDCE V
CC
-0.2V,
所有其他输入在V
SS
+0.2 V
IN
or
V
IN
V
CC
-0.2V ， CLK频率= 0
SSCE和SDCE V
IH
民
所有其他输入在V
IL
MAX V
IN
or
V
IN
V
CC
-0.2V ， CLK频率= 0
I
CC
3
CMOS待机
133MHz
150MHz
166MHz
200MHz
133MHz
150MHz
166MHz
200MHz
83MHz
100MHz
125MHz
I
SB
1
400
450
500
待定
300
350
400
待定
220
235
255
20.0
550
580
625
待定
450
480
525
待定
240
250
280
40.0
mA
mA
mA
mA
I
SB
2
30.0
55.0
mA
I
CC
5
190
250
mA
TTL待机
自动刷新
注意事项：
1. I
CC
（操作）指定没有输出电流。我
CC
（工作）增加更快的周期时间和更大的输出负载。
2. “设备闲置”是指取消选择器件（ CE V
IH
）时钟是在最高频率运行，地址是每个开关周期。
3，典型值在3.3V测量25 ℃。我
CC
（操作）被指定在特定的频率。
BGA APACITANCE
描述
条件
1
1
符号
典型值
最大
单位
地址输入电容
控制输入电容
时钟输入电容
1
注意：
1
T
A
= 25°C ; F = 1MHz的
T
A
= 25°C ; F = 1MHz的
T
A
= 25°C ; F = 1MHz的
T
A
= 25°C ; F = 1MHz的
C
I
C
O
C
A
C
CK
5
8
5
4
8
10
8
6
pF
pF
pF
pF
输入/输出电容（ DQ ）
1.该参数进行采样。
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
4
