位置：首页 > IC型号导航 > 首字符W型号页 > 首字符W的型号第62页 > WSF41632-22G2TX > WSF41632-22G2TX PDF资料 > WSF41632-22G2TX PDF资料1第1页
怀特电子设计
特点
■
25ns的（ SRAM）和120ns的访问时间（ FLASH）
■
包装
?? 66针， PGA类型， 1.385"方HIP ，密封
陶瓷HIP （ 402包）
?? 68铅，密封CQFP （ G2T ） ， 22.4毫米（ 0.880" ）
正方形（ 509包） 4.57毫米（ 0.180" ）的高度。
旨在满足JEDEC 68领先0.990" CQFJ
足迹（图2） 。待开发包。
■
128Kx32 SRAM
■
512Kx32 5V闪存
■
组织为SRAM和512Kx32的128Kx32
闪存与普通数据总线
■
低功耗CMOS
■
商用，工业和军用温度范围
■
TTL兼容的输入和输出
WSF41632-22XX
初步*
128K
X
32 SRAM & 512Kx32闪存混合模块
■
重量 - 13克典型
■
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
FLASH内存功能
■
10万次擦除/编程最低
■
部门架构
??每一个64K字节的8大小相等的行业
行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
■
5伏编程; 5V ±10 ％电源
■
嵌入式擦除和编程算法
■
硬件写保护
■
页编程操作和内部程序
控制时间。
*此数据表描述了正在研发的产品，不能完全
特点，并随时更改，恕不另行通知。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程
4M5应用笔记。
图。 1
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
引脚配置WSF41632-22H2X
23
FWE
2
SWE
2
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
FCS
SCS
I / O
3
33
P
IN
D
ESCRIPTION
D
0-31
数据输入/输出
地址输入
SRAM写入启用
SRAM芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
闪存写入启用
FLASH的片选
A
0-18
SWE
1-4
SCS
OE
V
CC
GND
NC
FWE
1-4
FCS
T
OP
V
IEW
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
A
17
FWE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
SWE
1
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
34
V
CC
SWE
4
FWE
4
I / O
27
A
4
A
5
A
6
FWE
3
SWE
3
GND
I / O
19
44
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
55
56
B
LOCK
D
IAGRAM
FWE
1
OE
A0-18
SCS
FCS
SWE
1
FWE
2
SWE
2
FWE
3
SWE
3
FWE
4
SWE
4
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
512K ×8闪存
128K ×8 SRAM
66
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
2002年10月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
