飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP130N03LT ， PHB130N03LT
1000
漏极电流ID （ A）
ID
S/
7506-30
RDS （ ON） /毫欧
10
3
9506-30
100
RD
N
S（O
)=
VD
8
TP = 10我们
100美
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
3.5
4
5
6
6
4
2
10
1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第Z / （K / W）
1E+00
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
ID / A
100
9506-30
0.5
1E-01
0.2
0.1
0.05
1E-02
0.02
0
1E-03
1E-07
80
60
TJ / C = 175
25
P
D
t
p
t
p
D=
T
T
t
40
20
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
1E+01
0
0
1
2
VGS / V
3
4
5
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID / A
6
3.5
5
3
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
100
BUK9506-30
100
9506-30
80
80
60
VGS / V =
2.8
60
TJ / C = 25
40
2.6
2.4
2.2
40
175
20
20
0
0
2
4
VDS / V
6
8
10
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
1998年1月
4
启1.300
