飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
PHE13005
概述
该PHE13005在TO220AB外壳供高使用硅NPN功率开关晶体管
高频电子照明镇流器应用，变频器，逆变器，开关稳压器，电机控制系统，
等等
快速参考数据
符号
V
CESM
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基极电压（I
B
= 0)
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
下降时间
条件
V
BE
= 0V
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
0.2
0.1
马克斯。
700
700
400
9
4
8
75
0.6
0.5
单位
V
V
V
V
A
A
W
V
s
T
mb
≤
25C
I
C
= 2A ;我
B
= 0.5A
I
C
= 2A ;我
B1
= 0.4A ; V
BE （OFF）的
= 5V
钉扎 - TO220AB
针
1
2
3
TAB
BASE
集热器
辐射源
集热器
描述
引脚配置
TAB
符号
c
b
1 23
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压（开基）
集电极基极电压（发射极开路）
发射极 - 基极电压（I
B
= 0)
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
700
400
700
9
4
8
2
4
75
150
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
≤
25C
热RESISTANCES8
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
结到安装基座
结到环境
在自由空气
条件
典型值。
-
60
马克斯。
1.67
-
单位
K / W
K / W
1999年2月
1
启1.000
