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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 3.6 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
sp
= 25 C
分钟。
-
PHT11N06LT
典型值。
-
马克斯。
60
单位
mJ
1998年1月
3
启1.100
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深圳市碧威特网络技术有限公司
